半导体材料厉害的大学
比赛项目涉及新材料、新能源、半导体等 首届厦门大学火炬创星荟...首届厦门大学火炬创星荟创新创业大赛颁奖典礼在厦门举行，现场颁发了创新团队组、创新企业组一、二、三等奖及优胜奖等奖项。作为厦门大学火炬创星荟创新创业系列活动之一，本次大赛由厦门火炬高新区、厦门大学联合举办，重点征集物理、电子、新材料、新能源、半导体、航空航是什么。
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北京大学申请半导体器件结构专利,关态电流明显低于相同尺寸、相同...北京大学申请一项名为“一种半导体器件结构及其制备方法和应用“公开号CN117293183A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明提出的半导体器件结构中，互补沟道层材料为氧化物半导体材料，具有宽禁好了吧！
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北京大学申请晶体管制备及极性调控专利,实现了半导体二维材料与...金融界2024年3月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法“公开是什么。 本发明解决了高取向二维材料薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、晶体管极性调控困难等问题，实现了半导体二维材料与电极的高质量接触，获得是什么。
北京大学申请半导体专利,专利技术能实现垂直方向上自对准的栅极结构金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备“公开号C等我继续说。 在有源结构上沉积半导体材料，以形成伪栅结构；在伪栅结构的第三部分的两侧形成第一晶体管的源结构和漏结构；对晶圆进行倒片，并去除衬底；在等我继续说。
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北京大学取得二维半导体垂直场效应晶体管阵列专利,可实现纳米尺度...北京大学取得一项名为“一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法”，授权公告号CN116960127B,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法。本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏小发猫。
天津大学纳米中心半导体石墨烯研究取得新突破本报天津1月7日电(记者武少民)记者近日从天津大学获悉：天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授研究团队研究成果《碳化后面会介绍。 创造了一种新型稳定的半导体石墨烯。据悉，在该项突破性研究中，具有带隙的半导体石墨烯为高性能电子器件带来了全新的材料选择。这种半后面会介绍。
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北京大学申请金刚石基氮化物半导体异质结构制备方法专利,能够得到...北京大学申请一项名为“一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法“公开号CN202410671826.4,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明公开了一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法。本发明通过将在单晶二维材料/单晶衬底上外延制备的单晶氮化物半导体结构剥小发猫。
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北京大学申请一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法专利,能够大幅...金融界2024年6月26日消息，天眼查知识产权信息显示，北京大学申请一项名为“一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法”，公开号CN202410说完了。 得到能够大幅降低外延结构位错密度和失配应力且提高氮化物半导体LED器件性能的图形化氮化铝复合衬底，与现有材料和器件体系兼容，制备说完了。
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北京大学申请金属纳米材料表面凸起物制备方法专利,能够有效调控...金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请了一项名为“一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法”的专利，公开号CN1等会说。 然后采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米线进行电流‑电压(I‑V)扫描，通过监控纳米线的R‑V曲线的瞬态斜率和电阻增加的幅度等会说。
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华东理工大学钙钛矿光电子材料研究新突破IT之家4 月7 日消息，据华东理工大学官方消息，近日，华东理工大学材料科学与工程学院侯宇教授、杨双教授等在钙钛矿单晶薄膜的可控制备研后面会介绍。 可溶液制备的新型半导体材料，在太阳能电池、发光二极管和辐射探测器等领域有重要应用。目前，这些器件主要采用多晶薄膜为光活性材料，其后面会介绍。
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