半导体设备上部电极_半导体设备上市公司半年报

拉普拉斯取得一种基于新型电极结构的半导体加工设备专利,该专利...金融界2024年5月6日消息,据国家知识产权局公告,拉普拉斯新能源科技股份有限公司取得一项名为“一种基于新型电极结构的半导体加工设备“授权公告号CN112563162B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示,该发明公开了一种基于新型电极结构的半导体加工设备,包括炉体本体、炉说完了。

三星取得半导体器件专利,半导体图案中的杂质的浓度在从半导体图案...申请日期为2019年2月。专利摘要显示,一种半导体器件包括:在衬底中的阱区;在阱区上的半导体图案,该半导体图案包括杂质;以及在半导体图案上的栅电极。半导体图案中的杂质的浓度在从半导体图案的与栅电极相邻的上部到半导体图案的与阱区相邻的下部的方向上增大。本文源自金是什么。

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山东浪潮华光光申请一种 LED 芯片中金属氧化物透明电极及其制造...山东浪潮华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种LED 芯片中金属氧化物透明电极及其制造方法“公开号CN202410782722.0 ,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示,本发明涉及一种LED 芯片中金属氧化物透明电极及其制造方法,属于半导体加工技术领域。透明电极由下到上小发猫。

...晶体管制备及极性调控专利,实现了半导体二维材料与电极的高质量接触电极边缘与二维材料的接触区域即为源漏接触区域,通过不同功函数的电极材料诱导,实现不同输运极性的晶体管的制备。本发明解决了高取向二维材料薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、晶体管极性调控困难等问题,实现了半导体二维材料与电极的高质量接触,获得具有空间均匀性和电学是什么。

台积电取得开关结构与半导体结构专利,半导体结构包含一第一电极、...金融界2024年1月18日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“开关结构与半导体结构“授权公告号CN220359687U,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,一种开关结构与半导体结构,半导体结构包含一第一电极、一第二电极、一相变材料线至少两还有呢?

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三星申请半导体器件专利,实现下电极在竖直方向上延伸金融界2023年12月29日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117316934A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,一种半导体器件,包括:衬底;衬底上方的下电极,下电极在竖直方向上延伸;支撑物,围绕下电极的侧壁并支撑下电极;下电极和等会说。

华为公司申请半导体器件及电子设备专利,有效提升了半导体器件的...华为技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件及电子设备“公开号CN117374110A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本申请实施例提供一种半导体器件及电子设备,半导体器件包括衬底、依次设置在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层,在势垒层上设置有源电极、栅电小发猫。

中微公司申请一种下电极组件及其等离子体处理装置专利,实现了对...金融界2024年6月18日消息,天眼查知识产权信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为“一种下电极组件及其等离子体处理装置“公开号CN202211612805.2,申请日期为2022年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种下电极组件及其等离子体处理装置,该下电极组件设是什么。

中微公司申请“一种下电极组件和等离子处理装置”专利,减小每个...金融界2024 年7 月12 日消息,天眼查知识产权信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司、中微半导体(上海)有限公司申请一项名为“一种下电极组件和等离子处理装置”,公开号CN202410749617.7,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示,本发明公开了一种下电极组件和等离子好了吧!

台基股份取得电极折弯机专利,省时省力和电极折弯效率高金融界2023年12月21日消息,据国家知识产权局公告,湖北台基半导体股份有限公司取得一项名为“一种电极折弯机“授权公告号CN220196029U,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本实用新型的名称一种电极折弯机。属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决目前电极等我继续说。

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