半导体基板和衬底_半导体基板生产工艺
龙腾光电申请金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法专利...本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，包括：金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板包括衬底、金属氧化物半导体层和蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上图案化形成桥接层和初始金属层。桥接层包括第一桥接图案和第二桥接图案，蚀刻阻挡层上设有第一通孔和第还有呢？
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捷捷微电取得能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法专利...本发明涉及能提高耐压能力的半导体器件终端结构及制作方法，包括终端保护区，终端保护区环绕在元胞区的周围终端保护区包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有一个环绕元胞区的好了吧！
京东方A申请显示基板及其制作方法、显示面板专利,实现像素电极与...金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“显示基板及其制作方法、显示面板“公开号CN117561475A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示，一种显示基板及其制作方法、显示面板显示基板包括：第一半导体层(25),设置在衬底基板等会说。
晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利,能够充分去除氧化层残留,...此专利提供了一种半导体结构及其制备方法，包括衬底，所述衬底具有中心区域以及边缘区域；台阶面，位于所述衬底的边缘区域；支撑层，覆盖所述台阶面的表面及侧壁；氧化层，覆盖所述衬底的中心区域及所述支撑层；承载基板，所述中心区域的氧化层与所述承载基板的键合面键合。该发明可充说完了。
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长鑫存储申请半导体结构及其形成方法、存储器专利,专利技术能减小...本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的半导体结构包括基板、芯片组及导热调节层，其中：芯片组设于基板的一侧，且包括多个沿垂直于基板的方向间隔分布的芯片单元，芯片单元包括衬底及设于衬底表面的电路模块，衬底包括邻接分布的电路互连说完了。
华灿光电:全球领先的LED芯片及先进半导体解决方案供应商金融界7月25日消息，有投资者在互动平台向华灿光电提问：公司是否有玻璃基板封装相关技术储备？公司回答表示：公司是全球领先的LED芯片及先进半导体解决方案供应商，主要业务为LED芯片、LED外延片、蓝宝石衬底及第三代半导体化合物GaN 电力电子器件的研发、生产和销售。本小发猫。
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龙腾光电取得薄膜晶体管阵列基板专利,能有效地避免薄膜晶体管器件...昆山龙腾光电股份有限公司取得一项名为“薄膜晶体管阵列基板、显示面板和液晶显示装置“授权公告号CN221304692U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第一透明电极层、第二金属层、绝缘保护层和小发猫。
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龙腾光电获得实用新型专利授权:“薄膜晶体管阵列基板、显示面板和...专利名为“薄膜晶体管阵列基板、显示面板和液晶显示装置”，专利申请号为CN202322927302.0,授权日为2024年7月9日。专利摘要：一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第一透明电极层、第二金属层、绝缘保护层和第二透明电极层。绝缘保护层后面会介绍。
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京东方A获得发明专利授权:“阵列基板的制作方法”专利名为“阵列基板的制作方法”，专利申请号为CN201910925578.0,授权日为2024年3月1日。专利摘要：本公开实施例提供一种阵列基板的制作方法。该阵列基板包括薄膜晶体管，该制作方法包括：在衬底基板上依次形成第一绝缘层和半导体层，该半导体层包括该薄膜晶体管的半导体沟道等我继续说。
新洁能取得高耐压碳化硅肖特基二极管专利,大幅增加器件的击穿电压,...本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区，在条形第一P型阱区和条形第一N型阱区下方或下表面设有若干个小发猫。
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